ABG-H 系列

特征

    合金磁芯提供大的饱和电流,具有优异的抗冲击性和无损伤耐久性,闭合磁路设计可减少漏磁通和电磁干扰(EMI),低DCR降低了功耗,小而薄占用了更少的PCB空间,自动化生产确保了高质量和一致性,符合RoHS标准。
MORE

系列产品

Part number
Inductance Impedance L (mm) W (mm) T (mm) DCR Irms Isat PDF Link
ABG04H20M100
10 4 4 2 216 1.7 2.8
ABG04H20M6R8
6.8 4 4 2 156 2.1 3
ABG04H20M4R7
4.7 4 4 2 108 2.5 4
ABG04H20M3R3
3.3 4 4 2 72 3.5 4.2
ABG04H20M2R2
2.2 4 4 2 48 4.2 6.1
ABG04H20M1R5
1.5 4 4 2 36 4.5 7.2
ABG04H20M1R0
1 4 4 2 26 5.1 8.5
ABG04H20NR68
0.68 4 4 2 35 5 8.7
ABG04H20NR47
0.47 4 4 2 22 7 10
ABG04H12M220
22 4 4 1.35 679 0.85 0.9
ABG04H12M100
10 4 4 1.35 335 1.3 1.5
ABG04H12M6R8
6.8 4 4 1.35 226 1.5 1.6
ABG04H12M4R7
4.7 4 4 1.35 166 1.7 1.8
ABG04H12M3R3
3.3 4 4 1.35 125 1.9 2
ABG04H12M2R2
2.2 4 4 1.35 79 2.5 2.8
ABG04H12M1R5
1.5 4 4 1.35 70 2.6 3.9
ABG04H12M1R2
1.2 4 4 1.35 64 3.2 4
ABG04H12M1R0
1 4 4 1.35 58 3.5 4.5
ABG04H12NR68
0.68 4 4 1.35 40 4.1 5
ABG04H12NR47
0.47 4 4 1.35 40 4.2 7.5
1234
0.0596s